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直击4C麒麟电池:宁德时代上海车展首发理想首款纯电车型|每日聚焦
2023-04-18 14:46:32   来源:手机网易网  分享 分享到搜狐微博 分享到网易微博

4月18日,万众瞩目的第二十届上海国际汽车工业展览会(下称“2023上海车展”)揭幕。

当天上午,国内造车新势力理想汽车发布纯电解决方案,其表示,首款纯电车型将成为全球首款搭载宁德时代4C麒麟电池的车型。


(资料图)

理想汽车将提供800V超充的解决方案,实现充电10分钟,续航400km,其中核心技术是基于第三代功率半导体的高压电驱系统,具备4C充电能力的电池、宽温域的热管理系统和4C超充网络。到2025年,理想汽车将形成 “1款超级旗舰+5款增程电动车型+5款高压纯电车型”的产品布局 ,面向20万以上的市场。

今年3月,宁德时代宣布实现了第三代CTP(cell to pack)技术麒麟电池的量产。相比前两代CTP技术,麒麟电池完全取消模组形态设计,并通过冷却结构上的优化,使得电池安全性、寿命、快充性能以及比能量密度进一步提升。

麒麟电池的体积利用率突破了72%,配用三元电芯能量密度可达255Wh/kg,磷酸铁锂电池系统能量密度可达160Wh/kg,电池包集成度为全球最高。在相同的化学体系、同等电池包尺寸下,麒麟电池包的电量,相比4680大圆柱型电池系统可以提升13%。

“无麒麟,不高端。”在此前回答宁德时代投资者提问时,宁德时代董事长曾毓群表示。

此前4月16日,吉利旗下的极氪汽车宣布,全球首搭宁德时代麒麟电池的量产车极氪009正式交付。

极氪009 ME版装载的麒麟电池包,采用了全球首款正极高镍材料,负极加硅基材料的高比能电芯,电池包容量达到了140度(kWh),CLTC续航822km。大概相当于一款油箱容量69L的燃油中大型MPV的续航。

追求高续航、高能量密度,对电池的安全提出了更高要求。这是因为电池的能量密度越高,其材料体系就越活跃。因此,极氪009麒麟版配备了宁德时代最新的NP 2.0技术,首创了烟气与高压主动隔离设计,彻底消除了高温烟气可能引发的高压拉弧打火隐患。

除此之外,麒麟电池还改进了电池的液冷板设计,将传统设在底部的水冷功能件置于电芯之间,使换热面积扩大四倍,使电芯其在极端情况下可快速的降温。

那么,此次搭载于理想汽车的4C麒麟电池又有什么特别之处呢?在业内人士看来,亮点是“4C+800V”,这将重点解决电动汽车的快充难题。

通常而言,电池的充放电倍率用C来表示。对于放电,4C放电表示电池4个小时完全放电时的电流强度。对于充电,4C表示在给定的电流强度下,充满电池400%的电量需要1个小时,也即在给定的电流强度下15分钟电池能够完全充电。

据业内人士介绍,4C并非全新指标,而是在传统的充放电指标如1C、2C基础上的延伸,是电池充放电性能提升的体现,并且C的级数越高,电池充放电性能提升的边际效果越弱。当电池的充电倍率超过4C,其技术难度的提升以及电池承受的电流压力更大,但是技术提升所带来的正向效应变小。因此通常认为,4C 是目前兼具性能提升和电池技术承受能力的最优解。

2022 年,国内已有搭载3C电池的汽车进入市场。而目前已知实现4C快充技术的新能源车型只有2款,分别是极狐阿尔S HI版和小鹏G9(高配版),而在2022年的6月23日,宁德时代发布新款麒麟电池时表示,4C充电预计将于2023年到来。

此外,根据理想汽车对于这款纯电车型的介绍,800V的高压平台也是另一亮点,800V高压系统通常指整车高压电气系统电压范围达到550-930V的系统,统称800V系统。

据了解,在超充的解决方案中,“大电流”与“大电压”路径并存,后者成本更优。为了达到更高的充电功率以达到快充的目的,加大电流或者电压,目前市面上采用更“大电压”技术路径的公司多于“大电流”。

800V高压系统以低成本和高效率获得众多集团和品牌青睐,海外现代起亚、大众、奔驰、宝马,国内比亚迪、 吉利、广汽、小鹏等均有布局800V高压平台。

不过,目前国内主流新能源车型依旧为 200V—400V电压架构,这是因为,更高功率以满足快充的需求,会给整车散热以及性能带来影响,也对电池包的性能提出了更高的要求。例如,800V电池包的电池管理系统成本比400V高约1/3,通常800V的电池包需要两倍的串联电池,因此需要两倍的电池管理系统(BMS)电压传感通道。

而据高工锂电此前分析,要实现电池快充能力,也对电池电芯负极高速嵌锂和电池包的热管理技术提出挑战。

其中,电池负极高速嵌锂能力可避免出现析锂、锂枝晶,从而避免电池容量不可逆衰减和缩短使用寿命。电池升温快会产生大量热,容易短路起火,同时电解液也需要较高导电率,并且不与正负极反应,能抗高温、阻燃、防过充。

因此,对于此次技术上的突破,理想汽车在发布会上也指出,此次新款车型的核心技术也包括了基于第三代功率半导体的高压电驱系统,宽温域的热管理系统和4C超充网络。

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[责任编辑:ruirui]





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